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FDFS2P753Z
1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFS2P753Z
- 商品编号
- C241794
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 455pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FDFS2P753Z在SO-8封装中结合了PowerTrench MOSFET技术的卓越性能与极低正向压降的肖特基势垒整流器。 该器件专为直流 - 直流转换器设计，是一种单封装解决方案。它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET，且导通电阻极低。独立连接的肖特基二极管使其可用于各种直流/直流转换器拓扑。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -3.0 A时，最大rDS(on) = 115 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -1.5 A时，最大rDS(on) = 180 mΩ
- 在1 A电流下，VF < 500 mV；在2 A电流下，VF < 580 mV
- 肖特基二极管和MOSFET集成于单个功率表面贴装SO-8封装中
- 肖特基二极管和MOSFET引脚电气独立，便于灵活设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换