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FDD5612
1个N沟道 耐压:60V 电流:18A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能够实现整体效率更高的DC/DC电源设计
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD5612
- 商品编号
- C241779
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.433333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |