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SE4607
互补增强模式场效应晶体管 1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：N-Channel。 VDS = 20V。 RDS(ON) = 20mΩ @ VGS=4.5V。 P-Channel。 VDS = -20V。 RDS(ON) = 100mΩ @ VGS=4.5V。应用：台式机或DC/DC LCD显示器转换器中的电源管理
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE4607
- 商品编号
- C238650
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.223克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 138pF |