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SED4060G
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的导通电阻RDS(ON)，可用于各种应用。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SED4060G
- 商品编号
- C238671
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
- 网友设计参考
- SW3518S全协议快充电源模块
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 942pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 309pF |