温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SE2305
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:4.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用高单元密度DMOS沟槽技术生产，该技术专门用于最小化导通电阻。该器件特别适用于低压应用，如便携式设备、电源管理和其他电池供电电路，并且在非常小的外形表面贴装中需要低在线功耗。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE2305
- 商品编号
- C238685
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 191pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单