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SE30P50B
P沟道增强型MOSFET,电流:-50A,耐压:-30V
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- 描述
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻、完全表征的雪崩电压和电流、改进的直通 FOM、简单的驱动要求；小封装外形；表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE30P50B
- 商品编号
- C238706
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.032nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 743pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 898pF |