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SED5852
P沟道增强型场效应管 1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。内置肖特基二极管，便于实现双向阻断开关，或用于DC-DC转换应用。产品为无铅产品（符合ROHS规范）。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SED5852
- 商品编号
- C238715
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |