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SE30P12D
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE30P12D
- 商品编号
- C238703
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.27nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 745pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |