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SE2301
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- MOSFET 提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。高密单元设计，实现超低导通电阻；具备完全表征的雪崩电压和电流；改善了直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；为表面贴装器件；可提供无铅封装。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE2301
- 商品编号
- C238681
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 570mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 373pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 138pF |