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SE2060
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 高密单元设计，实现超低导通电阻；具备完整雪崩电压和电流特性；改善直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；为表面贴装器件。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE2060
- 商品编号
- C238663
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.078克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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