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SE3082G
N沟道增强型MOSFET 2个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征雪崩电压和电流。改善直通品质因数。简单的驱动要求。小封装尺寸。表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE3082G
- 商品编号
- C238670
- 商品封装
- DFN-8(5.2x5.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF@0V | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |