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SED3030M
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SED3030M
- 商品编号
- C238665
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 102pF |