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SE9926
N沟道增强型场效应管 2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：VDS = 20V, I = 6A。 RDS(ON) < 37.5mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 27.5mΩ @ VGS = 4.5V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品。 表面贴装封装。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE9926
- 商品编号
- C238653
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |