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SE8810(ESD)
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 特性：对于单个MOSFET: VDS = 20 V。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 4.5V @ Ids = 7A。 RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 2.5V @ Ids = 4A。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE8810(ESD)
- 商品编号
- C238661
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 693pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 189pF |