温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDB2572
2个N沟道,电流:29A,耐压:150V
- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET，150V，29A，54mΩ，这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC，卓越的软逆向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的能效。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB2572
- 商品编号
- C241750
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 45 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 9 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 26 nC（典型值），栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 具有非钳位感性负载开关（UIS）能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源（UPS）
- 分布式电源架构和电压调节模块（VRM）
- 24V和48V系统的主开关
- 高压同步整流器