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FDB33N25TM
1个N沟道 耐压:250V 电流:33A
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- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB33N25TM
- 商品编号
- C241752
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 235W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.135nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET是仙童半导体基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 16.5 A时，RDS(ON) = 94 mΩ（最大值）
- 低栅极电荷（典型值36.8 nC）
- 低Crss（典型值39 pF）
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 等离子电视-照明-不间断电源-交直流电源