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FDC610PZ
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.9A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC610PZ
- 商品编号
- C241761
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.005nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持低栅极电荷以实现卓越开关性能的同时，最大限度地降低导通电阻。这些器件非常适合电池供电应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -4.9 A时，最大rDS(on) = 42 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -3.7 A时，最大rDS(on) = 75 mΩ
- 低栅极电荷（典型值为17 nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的rDS(on)
- SuperSOT -6封装：占位面积小（比标准SO - 8小72%）、厚度薄（1 mm厚）
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC - DC转换