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FDC638APZ
P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 此 P 沟道MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池供电应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC-DC 转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC638APZ
- 商品编号
- C241771
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
这款 2.5V 特定 P 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench® 工艺制造，该工艺经过特别定制，可最大程度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合电池供电应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路以及 DC/DC 转换。
商品特性
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -4.5 A 时,最大 rDS(on) = 43 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V、ID = -3.8 A 时,最大 rDS(on) = 68 mΩ
- 低栅极电荷(典型值为 8nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的 rDS(on)
- SuperSOT -6 封装:占位面积小(比标准 SO - 8 小 72%)、厚度薄(1mm)
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-DC-DC 转换