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FDC658P
单通道P沟道, 电流:-4A, 耐压:-30V
- 描述
- 此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于笔记本电脑应用：负载开关和功率管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC658P
- 商品编号
- C241777
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- -4 A,-30 V。在 VGS = -10 V 时,RDS(ON) = 0.050 Ω;在 VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 0.075 Ω。
- 低栅极电荷(典型值为8nC)。
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
- SuperSOTTM-6封装:占位面积小(比标准SO-8小72%);薄型(厚度为1mm)。
应用领域
- 笔记本电脑应用:负载开关、电源管理、电池充电电路和DC/DC转换