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FDC638P
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC638P
- 商品编号
- C241772
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款指定为2.5V的P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合电池供电应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换。
商品特性
- 在VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 65 mΩ
- 4.5 A,-20 V。在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 48 mΩ
- 低栅极电荷(典型值为10 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- SuperSOT -6封装:占位面积小(比标准SO - 8小72%);厚度薄(1mm厚)
应用领域
- 电池供电应用:负载开关和电源管理
- 电池充电电路
- DC/DC转换