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FDC640P
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的功率管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC640P
- 商品编号
- C241774
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 123pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 244pF |
商品概述
这款 2.5V 指定的 P 沟道 MOSFET 采用了安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -4.5 A,-20 V;RDS(ON) = 0.053 Ω(VGS = -4.5 V)
- 在 VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 0.080 Ω
- 坚固的栅极额定值(±12V)
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护