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FDC6305N
2个N沟道 耐压:20V 电流:2.7A
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- 描述
- 此类 N 沟道低阈值 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC6305N
- 商品编号
- C241765
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
这些 N 沟道 2.5V 低阈值特定 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
商品特性
- 2.7 A、20 V。VGS = 4.5 V 时，RDS(ON) = 0.08 Ω
- VGS = 2.5 V 时，RDS(ON) = 0.12 Ω
- 低栅极电荷（典型值 3.5 nC）。
- 快速开关速度。
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- SuperSOT™-6 封装：占位面积小（比标准 SO-8 小 72%）；厚度薄（1 mm）。
应用领域
- 负载开关-DC/DC 转换器-电机驱动