FDC6305N
2个N沟道 耐压:20V 电流:2.7A
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描述
此类 N 沟道低阈值 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDC6305N商品编号
C241765商品封装
TSOT-23-6包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@4.5V,2.7A | |
功率(Pd) | 960mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.5nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 310pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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