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FDC6310P
P沟道 耐压:20V 电流:2.2A
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- 描述
- 此类 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可利用其非常小的占位提供出色的功率耗散。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC6310P
- 商品编号
- C241766
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 337pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品概述
这些专为2.5V设计的P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在降低导通电阻的同时保持较低的栅极电荷，从而实现出色的开关性能。 这些器件专为在极小的占位面积内实现卓越的功率耗散而设计，适用于采用体积更大、成本更高的SO - 8和TSSOP - 8封装不切实际的应用场景。
商品特性
- 在VGS = - 2.5 V时，RDS(ON) = 190 mΩ
- -2.2 A，-20 V。在VGS = - 4.5 V时，RDS(ON) = 125 mΩ
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- SuperSOT - 6封装：占位面积小（比标准SO - 8小72%）；外形低矮（厚度1mm）
应用领域
- 负载开关-电池保护-电源管理