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FDB3682
N沟道, 32A, 100V
- 描述
- N 沟道 Power Trench MOSFET，100V，32A，36 m?，此款最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC 和软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB3682
- 商品编号
- C241754
- 商品封装
- D2PAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 32 A条件下，RDS(on) = 32 mΩ（典型值）
- 在VGS = 10 V条件下，QG(tot) = 18.5 nC（典型值）
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具有UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 消费电器-同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源-微型太阳能逆变器