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FDC602P
P沟道,电流:5.5A,耐压:20V
- 描述
- P沟道
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC602P
- 商品编号
- C241759
- 商品封装
- TSOP-6-1.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.456nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 5.5 A,-20 V,VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 35 mΩ
- VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 50 mΩ
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护