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FDC604P
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.5A
- 描述
- 此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC604P
- 商品编号
- C241760
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.926nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款 1.8 V 指定的 P 沟道 MOSFET 采用安森美半导体（onsemi）的低压 POWERTRENCH 工艺，针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 5.5 A，-20 V。VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 33 mΩ
- VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 43 mΩ
- VGS = -1.8 V 时，RDS(ON) = 60 mΩ
- 开关速度快
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 该器件无铅且无卤
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护