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FDB5800
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET，60V，80A，6mΩ，这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC，卓越的软逆向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的能效。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB5800
- 商品编号
- C241755
- 商品封装
- D2PAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.625nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 262pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 628pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- RDS(on) = 4.6 mΩ(典型值),VGS = 10 V,ID = 80 A
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-电动工具-电机驱动器和不间断电源