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SE8830A
双N沟道,电流:7A,耐压:20V
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- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE8830A
- 商品编号
- C238645
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 693pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 189pF |
商品特性
- 适用于单个MOSFET
- VDSS = 20 V
- 在VGS = 4.5 V、Ids = 7A条件下,RDS(ON) < 14.5 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、Ids = 5A条件下,RDS(ON) < 16.0 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理