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NVD5117PLT4G
NVD5117PLT4G
- 描述
- 汽车用功率 MOSFET，-60V，-61A，16 mΩ，单 P 沟道，DPAK，逻辑电平AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD5117PLT4G
- 商品编号
- C511964
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 118W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）可将传导产生的功率损耗降至最低
- 100%进行栅极电阻（Rg）和无钳位电感开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
-DC/DC电源中的有源钳位-电池保护-负载开关-电机驱动控制