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FDB060AN08A0

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:75V 电流:16A 电流:80A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    N 沟道,PowerTrench MOSFET,75V,80A,6mΩ, 这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC,卓越的软逆向恢复本征体二极管性能,开关速度快,可大幅提高同步整流的能效。

  • 品牌名称onsemi(安森美)
  • 商品型号

    FDB060AN08A0
  • 商品编号

    C512889
  • 商品封装

    D2PAK
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    1.661克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)16A;80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6mΩ@80A,10V
功率(Pd)255W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)95nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)5.15nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)-
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

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