FDB060AN08A0
1个N沟道 耐压:75V 电流:16A 电流:80A
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描述
N 沟道,PowerTrench MOSFET,75V,80A,6mΩ, 这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC,卓越的软逆向恢复本征体二极管性能,开关速度快,可大幅提高同步整流的能效。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDB060AN08A0商品编号
C512889商品封装
D2PAK包装方式
编带
商品毛重
1.661克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 75V | |
连续漏极电流(Id) | 16A;80A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@80A,10V | |
功率(Pd) | 255W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 95nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.15nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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