温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDB060AN08A0
1个N沟道 耐压:75V 电流:16A 80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET，75V，80A，6mΩ， 这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC，卓越的软逆向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的能效。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB060AN08A0
- 商品编号
- C512889
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.661克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A；80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.15nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品概述
SM140R50C是采用先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 24A、500V，漏源导通电阻最大值 = 0.14 欧姆，在栅源电压 = 10 V 时
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容（Crss）
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源