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FDG6303N
2个N沟道 耐压:25V 电流:0.5A
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- 描述
- 这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG6303N
- 商品编号
- C512895
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 漏源导通电阻 = 4.2 mΩ，栅源电压 = 10 V，漏极电流 = 18 A
- 漏源导通电阻 = 4.9 mΩ，栅源电压 = 4.5 V，漏极电流 = 17 A
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器