NVMFS5C404NLT1G
NVMFS5C404NLT1G
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5C404NLT1G
- 商品编号
- C513055
- 商品封装
- DFN-5(5.1x6.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 370A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.67mΩ@10V,370A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 181nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.168nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 当栅源电压 VGS 为 -10 V、漏极电流 ID 为 -8.4 A 时，典型导通电阻 RDS(on) 为 23 mΩ
- 当栅源电压 VGS 为 -4.5 V、漏极电流 ID 为 -7 A 时，典型导通电阻 RDS(on) 为 30 mΩ
- 当栅源电压 VGS 为 -5 V、漏极电流 ID 为 -8.4 A 时，典型总栅极电荷 Q_g(tot) 为 19 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
- 符合 AEC Q101 标准
应用领域
- 逆变器
- 电源