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FDP023N08B-F102实物图
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FDP023N08B-F102

1个N沟道 耐压:75V 电流:242A

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描述
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,适用于最大程度降低导通电阻,同时保持出色的开关性能。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDP023N08B-F102
商品编号
C516098
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)242A
导通电阻(RDS(on))1.96mΩ@10V,75A
耗散功率(Pd)245W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.8V
栅极电荷量(Qg)195nC@10V
输入电容(Ciss)13.765nF@37.5V
反向传输电容(Crss)46.8pF@37.5V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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