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FQU20N06LTU
耐压:60V 电流:17.2A
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- 描述
- 此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQU20N06LTU
- 商品编号
- C518879
- 商品封装
- IPAK(TO-251)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.656克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V,8.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 17.2 A、60 V，RDS(on) = 42 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 8.6 A
- 低栅极电荷（典型值9.5 nC）
- 低Crss（典型值35 pF）
- 100%雪崩测试
- 低电平栅极驱动要求，允许直接由逻辑驱动器操作
应用领域
- 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用
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