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BSS123
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
- 描述
- 此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS123
- 商品编号
- C513249
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@4.5V,0.17A | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 73pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 占位面积仅0.6 mm²，比SOT23小十三倍
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 超小型表面贴装封装
- 栅极ESD保护200V
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该产品符合JEDEC标准（参考AEC - Q），具备高可靠性
应用领域
- 负载开关
- 便携式应用
- 电源管理功能