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BC856BLT3G
PNP 电流:100mA 电压:65V
- 描述
- 特性：S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 合格且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BC856BLT3G
- 商品编号
- C513267
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 220@2mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 650mV@100mA,5mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |