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NVMTS0D7N04CTXG
NVMTS0D7N04CTXG
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMTS0D7N04CTXG
- 商品编号
- C513060
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.331克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 420A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.67mΩ@10V,420A | |
| 耗散功率(Pd) | 205W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.281nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 176pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（8x8 mm），适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 采用行业标准的Power 88封装
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 可选可焊侧翼镀覆工艺，便于光学检测
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂产品，符合RoHS标准