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NVMTS0D7N06CLTXG
NVMTS0D7N06CLTXG
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 8x8mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。 可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMTS0D7N06CLTXG
- 商品编号
- C513061
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 477A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.68mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 294.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(8x8 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- 采用行业标准的Power 88封装
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 可选可焊侧翼设计,便于光学检测
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电源