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NTTFS5116PLTAG
1个P沟道 耐压:60V 电流:5.7A
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- 描述
- 特性：低导通电阻（RDS(on)）。 快速开关。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：负载开关。 DC电机控制
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS5116PLTAG
- 商品编号
- C513050
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W；40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.258nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
HSBA0048是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，为大多数AC/DC快充充电器的同步整流提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 低 RDS(on)
- 快速开关
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
-负载开关-直流电机控制-直流-直流转换