温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS86300
1个N沟道 耐压:80V 电流:19A 80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管反向恢复功能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86300
- 商品编号
- C512898
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A；80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.082nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 19 A 时,最大 rDS(on) = 3.9 m Ω
- 在 VGS = 8 V、ID = 15.5 A 时,最大 rDS(on) = 5.5 m Ω
- 采用先进的封装与硅技术组合,实现低 r\textDS(on) 和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,具备软恢复特性
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 或门FET/负载开关
- DC-DC转换