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FDMC8010
1个N沟道 耐压:30V 电流:75A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用，如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8010
- 商品编号
- C512897
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@4.5V,25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.86nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大限度降低导通电阻。该器件非常适合在小空间内需要超低导通电阻（rDS(on)）的应用，如高性能电压调节模块（VRM）、负载点（POL）和理想二极管（Oring）功能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 30 A时，最大导通电阻rDS(on) = 1.3 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 25 A时，最大导通电阻rDS(on) = 1.8 mΩ
- 采用高性能技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流降压转换器-负载点-高效负载开关和低端开关-理想二极管场效应管(Oring FET)