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NTMD4N03R2G
2个N沟道 耐压:30V 电流:4A
- 描述
- 特性：设计用于低电压、高速开关应用。超低导通电阻，提供更高效率并延长电池寿命。RDS(on) = 0.048Ω，VGS = 10V（典型值）。RDS(on) = 0.065Ω，VGS = 4.5V（典型值）。微型SO-8表面贴装封装，节省电路板空间。二极管适用于桥式电路。应用：DC-DC转换器。计算机
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMD4N03R2G
- 商品编号
- C513049
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |