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FDS8870
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8870
- 商品编号
- C512901
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.615nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在管芯焊盘和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母屏障。FULLPAK封装可通过单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kV（均方根值）(t = 60 s; f = 60 Hz)
- 散热器到引脚的爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度达175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
- 符合RoHS指令2002/95/EC