温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HUF75645P3
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
- 描述
- 特性：超低导通电阻：rDS(ON) = 0.014Ω，VGS = 10V。仿真模型：温度补偿的PSPICE和SABER电气模型。Spice和Saber热阻抗模型。峰值电流与脉冲宽度曲线。UIS额定曲线
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75645P3
- 商品编号
- C512967
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 238nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.79nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.014 Ω,vGS = 10 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和Saber热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线