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NTLJD3115PT1G
NTLJD3115PT1G
- 描述
- 功率 MOSFET -20 V，-4.1 A，?Cool 双 P 沟道，2x2 mm WDFN 封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJD3115PT1G
- 商品编号
- C513048
- 商品封装
- WDFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 531pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品特性
- WDFN封装提供外露漏极焊盘,实现出色的热传导
- 2 x 2 mm封装尺寸与SC - 88相同
- 2 x 2 mm封装中具有最低的RDS(on)
- 具备1.8 V的RDS(on)额定值,适用于低电压栅极驱动逻辑电平操作
- 低外形(< 0.8 mm),易于在轻薄环境中应用
- 共源极配置支持双向电流流动
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 专为便携式设备的电池和负载管理应用优化
- 锂离子电池充电和保护电路
- 高端负载开关