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FDG6317NZ
2个N沟道 耐压:20V 电流:700mA
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- 描述
- 此双 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它采用小型封装，非常适合用于小型开关稳压器，提供极低的 RDS(ON) 和门极电荷 (QG)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG6317NZ
- 商品编号
- C512896
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 66.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款双N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它经过优化，适用于小型开关稳压器，在小封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷(QG)。
商品特性
- 0.7 A,20 V
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 400 mΩ
- 当VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 550 mΩ
- 具备栅源齐纳二极管,增强ESD耐受性
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 紧凑的行业标准SC70-6表面贴装封装
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器-电源管理-负载开关