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FDB120N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:74A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB120N10
- 商品编号
- C512890
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 74A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@10V,74A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.605nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 255pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
NCE0106Z采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 6A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 140 mΩ（典型值：110 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 采用散热性能良好的出色封装
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源