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FDD4243-F085
FDD4243-F085
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD4243-F085
- 商品编号
- C512893
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 在 VGS = -10 V、ID = -6.7 A 条件下,典型 rDS(on) = 36 m Ω
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -5.5 A 条件下,典型 rDS(on) = 48 m Ω
- 在 VGS = -10 V 条件下,典型 Qg(TOT) = 21 nC
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 \mathsfrDS(on)
- 符合 RoHS 标准
- 符合 AEC Q101 标准
应用领域
- 逆变器
- 电源