温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDBL86561-F085
1个N沟道 耐压:60V 电流:300A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL86561-F085
- 商品编号
- C512892
- 商品封装
- HPSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.913克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.85mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 429W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.65nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 255pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SMIRF18N50是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- 18A、500V，栅源电压为10V时，漏源导通电阻（典型值）=0.28欧姆
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源