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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDBL86561-F085

1个N沟道 耐压:60V 电流:300A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDBL86561-F085
商品编号
C512892
商品封装
HPSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.913克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300A
导通电阻(RDS(on))0.85mΩ@10V
耗散功率(Pd)429W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)170nC@10V
输入电容(Ciss)13.65nF
反向传输电容(Crss)255pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-

商品概述

SMIRF18N50是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。

商品特性

  • 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 RDS(on) = 0.85 m Ω
  • 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 Qq(tot) = 170 nC
  • 具有单脉冲雪崩耐量
  • 符合 RoHS 标准
  • 通过 AEC Q101 认证

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力系统管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 集成式启动发电机
  • 12V 系统主开关

数据手册PDF