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FDBL0150N80
1个N沟道 耐压:80V 电流:300A
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- 描述
- 特性：典型RDS(on)=1.1 mΩ，VGS = 10V，ID = 80 A。 典型Qg(tot)=172 nC，VGS = 10V，ΔD = 80 A。 UIS能力。 RoHS合规。应用：工业电机驱动。 工业电源
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL0150N80
- 商品编号
- C512891
- 商品封装
- HPSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 429W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
SM240R50C 是一款采用先进超结技术的功率 MOSFET，能够实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供高效率。这些用户友好型器件为设计者提供了低电磁干扰（EMI）和低开关损耗的优点。
商品特性
- 18A，500V，当栅极-源极电压（VGS）为 10V 时，最大导通电阻（RDS(on)）为 0.24 欧姆
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容（Crss）
- 快速开关
- 提高了电压变化率（dv/dt）能力
应用领域
-电源开关应用-硬开关与高频电路-不间断电源系统